입력 2021-03-25 13:20:49
삼성전자는 업계 최초로 하이케이 메탈 게이트(HKMG) 공적을 적용한 512GB 용량의 DDR5 메모리 모듈을 개발했다고 25일 밝혔다.
DDR5는 차세대 D램 규격으로 기존 DDR4에 비해 2배 이상의 성능을 자랑한다. 삼성전자는 DDR5에 'HKMG' 공정을 적용해 고성능과 저전력을 동시에 구현했다.
HKMG 공정은 누설 전류를 줄여 기존 공정 대비 전력소모를 13% 감소시킬 수 있어 대용량의 데이터센터 등 전력효율이 중요한 응용처에서 최적의 솔루션을 제공한다.
삼성전자는 HKMG 기술을 적용해 전송 속도를 7200Mbps까지 확장했다. 이는 30GB 용량의 UHD급 영화 2편을 1초에 처리할 수 있는 속도다.
또 이번 제품에는 범용 D램 가운데 처음으로 8단 TSV(실리콘 관통 전극) 기술을 적용해 16GB 기반의 용량을 512GB로 확대했다.
손영수 메모리사업부 상품기획팀 상무는 "삼성전자는 메모리 반도체와 시스템 반도체 기술 경쟁력을 결합해 업계 최초로 HKMG 공정을 메모리 반도체에 적용했다"며 "뛰어난 성능과 높은 에너지 효율로 자율주행, 스마트시티, 의료산업 등으로 활용 분야가 확대되면서 고성능 컴퓨터의 발전을 더욱 가속화할 것"이라고 말했다.
[CEO스코어데일리 / 유영준 기자 / yjyoo@ceoscore.co.kr]
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