올 1분기 매출액 52.6조원…전년比 198% 증가
영업익은 37.6조원…지난해 연간 영업익의 80%
AI 열풍 속 HBM 수요-공급 역전…“향후 3년 간 지속”
SK, HBM4·HBM4E 등 차세대 HBM도 리더십 굳혀

‘반도체 슈퍼 사이클’의 최대 수혜주로 등극한 SK하이닉스가 올해 1분기 40조원에 육박하는 영업이익을 거두며, 역대 최고의 기록을 갈아치웠다. 특히 메모리 칩 가격 고공행진으로 72%의 영업이익률을 기록하며, 당분간 SK하이닉스의 상승세가 지속될 것이란 기대감도 갖게 했다. SK하이닉스는 첨단 AI(인공지능) 칩 수요에 공격적으로 대응, 고부가 메모리 시장을 주도하고 있다.

SK하이닉스는 이같은 기세를 몰아 올해 역대급의 실적을 기록하는 것 뿐만 아니라, 특히 6세대 HBM(고대역폭메모리)인 ‘HBM4’, 7세대 ‘HBM4E’ 등 차세대 AI 메모리 분야에서도 리더십을 이어 간다는 포부다.

SK하이닉스는올 1분기 매출액 52조5763억원, 영업이익은 37조6103억원을 기록했다고 23일 밝혔다. 매출액은 지난해  17조6391억원 대비 198%, 영업이익은 지난해 7조4405억원 대비 무려 405% 폭증한 대 기록이다.

이에 따라, SK는 지난해 4분기에 세운 역대 최대 분기 실적을 1개 분기 만에 다시 경신했다. 직전 분기인 지난해 4분기 매출은 32조8267억원, 영업익은 19조1696억원 이었다.

40조원에 육박하는 분기 영업익은 SK하이닉스가 지난 한해 동안 벌어들인 영업이익의 80% 수준과 맞먹는 규모다. SK하이닉스는 지난해 연간  47조2063억원의 영업익을 기록했다.

SK하이닉스 관계자는 “올 1분기는 계절적 비수기임에도 AI 인프라 투자 확대로 수요 강세가 이어졌다”며 “HBM, 고용량 서버용 D램 모듈, eSSD(기업용 솔리드스테이트드라이브) 등 고부가가치 제품 판매를 확대하며 실적 상승세를 이어갔다”고 설명했다.

SK하이닉스의 실적은 당분간 시간이 흐를수록 더 고공행진할 것으로 기대를 모은다. 역대급 메모리 호황이 당분간 계속될 것이란 낙관론 때문이다.

SK하이닉스 관계자는 이날 콘퍼런스콜에서 “이번 메모리 가격 상승은 시장의 구조적 변화에 기인하고, 과거와는 다름 흐름을 보인다”며 “AI 기술 발전으로 메모리 중요성이 커지고 있고, IT 업체들이 메모리 물량 확보를 위해 경쟁적으로 구매를 늘리고 있다”고 말했다. 그는 이어 “반면 공급은 지난 다운턴(업황 둔화) 이후 투자가 위축되며 단기간 내 유의미한 생산 확대에 한계가 있다”며 “유의미한 생산 능력 확대까지 좀 더 시간이 걸릴 것이다”고 진단했다.

그러면서 “수요·공급 불균형으로 인해 고객사가 가격보다 물량 확보를 우선시하고 있다”며 “메모리 중요성까지 가격에 반영되면서 우호적인 가격 환경이 지속 유지될 것이다”고 내다 봤다. 이번 메모리 호황의 중심에는 단연 HBM이 자리하고 있다. SK는 향후 3년 간 HBM 수요가 공급을 웃돌 것으로 전망했다.

SK하이닉스 관계자는 “SK하이닉스는 3세대 ‘HBM2E’부터 원가와 수율, 성능 등 제품 경쟁력과 고객 신뢰도 측면에서 최고 수준을 유지하고 있다”며 “향후 3년 간 고객사 수요가 생산 능력을 훨씬 상회할 것이다”고 예상했다.

SK하이닉스는 현재 HBM 시장을 주도하고 있는데 이어, 차세대 HBM 경쟁력도 빠르게 끌어올려 리더십을 굳히겠다는 의지도 분명히 했다.

먼저 SK는 HBM4 양산 출하에 전력을 다하고 있다. 지난해 3월 세계 최초로 주요 고객사에 HBM4 12단 샘플 공급을 완료한 SK는 같은해 9월 HBM4 양산 체제를 구축하고, AI 반도체 공룡 엔비디아에 대량의 유상 샘플을 공급하기 시작했다.

올 1월엔 미국 라스베이거스에서 열린 ‘CES 2026’에서 HBM4 16단 48GB를 최초로 공개하며 업계 선두 주자로서의 지위를 더 공고히 했다. 해당 HBM 제품은 업계 최고 속도인 11.7Gbps를 구현한 HBM4 12단 36GB의 후속 모델로, 고객사 일정에 맞춰 개발이 순조롭게 진행되고 있는 것으로 전해졌다.

우수한 성능에 힘입어 SK는 AI 반도체 공룡 엔비디아의 핵심 파트너로 자리매김한 상태다. 엔비디아는 차세대 AI 반도체 ‘베라 루빈(VR)’ 등에 사용할 HBM4 물량 중 약 3분의 2를 SK하이닉스에 배정한 것으로 알려졌다.

SK하이닉스 관계자는 콘퍼런스콜에서 “HBM4는 초기부터 고객사와 긴밀하게 협력해 왔다”며 “협의한 일정에 따라 고객사가 요구하는 성능을 만족하는 제품 물량을 확대할 계획이다”고 밝혔다. 이어 “요구 성능에 맞게 생산을 확대해 적시에 공급할 수 있도록 만반의 준비를 하고 있다”고 덧붙였다.

7세대 HBM4E는 내년부터 본격 양산한다는 방침이다. 올 하반기 HBM4E 샘플을 개발할 것이라던 SK의 차세대 AI 메모리 로드맵이 한층 진일보한 것이다.

SK하이닉스 관계자는 “HBM4E는 올 하반기 샘플 공급에 나설 계획이고, 내년 양산을 목표로 순조롭게 개발 중이다”며 “출하 일정과 제품 스펙에 대해 고객사와 긴밀히 협의 중이다”고 강조했다.

HBM 제품의 기술력도 대폭 개선 중이다. SK하이닉스 관계자는 “HBM4E에 사용할 베이스 다이는 고객사가 요구하는 성능에 부합하는 최적의 기술로 원활하게 개발되고 있다”며 “코어 다이는 높아진 고객사의 성능 요구에 대응해 1c(10나노급 6세대) 구조로 설계 중이다”고 설명했다.

이에 SK하이닉스도 삼성전자와 동등한 공정 기술 수준 기반의 AI 메모리를 생산하게 됐다. 그간 SK는 대만 TSMC 파운드리(반도체 위탁 생산)공장에서 양산된 베이스 다이와 1b(10나노급 5세대) 공정 기반 D램을 활용해 HBM을 제조해 왔다.

이와 달리 삼성은 HBM4에 1c 공정 기반 D램을 적용하고, 파운드리를 통해 4나노 기반 베이스 다이를 생산하는 등 최신 기술을 선보였다.

비단 HBM뿐만 아니다. SK하이닉스는 D램과 낸드플래시 전반에서 신제품 개발과 공급을 이어가며 다양화된 메모리 수요에 대응한다는 구상이다.

AI가 대형 모델 학습 중심에서 다양한 서비스 환경의 실시간 추론을 반복하는 에이전틱 AI 단계로 진화하면서 메모리 수요 기반이 D램, 낸드 전반으로 넓어지고 있다는 게 SK의 분석이다.

이에 D램의 경우, 세계 최초로 1c 공정을 적용한 저전력 D램 ‘LPDDR6’, 같은 공정을 기반으로 이달 양산을 시작한 192GB ‘SOCAMM(소캠)2’ 등의 공급을 본격화할 예정이다.

낸드는 CTF(차지트랩플래시) 기반 321단 QLC(쿼드러플레벨셀) 기술을 적용한 cSSD ‘PQC21’에 이어 eSSD 전 영역에 걸쳐 고성능 TLC(트리플레벨셀)와 대용량 QLC를 아우르는 라인업으로 AI 수요 전반에 유연하게 대응해 나간다.

또 대용량 QLC eSSD에 강점을 보유한 솔리다임과의 시너지를 바탕으로 AI 데이터센터와 AI PC 스토리지 시장에서의 경쟁력을 강화할 계획이다.

SK하이닉스 관계자는 “기술 진화에 따라 다양화하는 요구에 대응하고자 D램과 낸드 전반에 걸쳐 신제품 개발과 공급을 이어가고 있다”며 “올 2분기 D램은 1분기 대비 한 자릿수 후반, 낸드는 10% 중반대 출하량이 증가할 것으로 예상한다”고 자신했다.

아울러 SK하이닉스는 메모리 수요가 공급 역량을 상회하는 환경이 지속되는 가운데, AI 시대 구조적 수요 성장에 대응할 수 있도록 생산 능력 확보에도 힘을 쏟기로 했다.

이에 올해 청주 M15X 램프업에 상당한 자금을 투입키로 했다. 램프업은 반도체 제조 장비 설치 이후 양산에 들어가기까지 생산 능력을 증가시키는 것을 뜻한다.

또 용인 반도체 클러스터를 중심으로 한 인프라 준비와 EUV(극자외선) 노광 장비 등 핵심 반도체 제조 장비 확보 등에도 투자 규모를 크게 늘릴 예정이다.

SK하이닉스 관계자는 “중장기 수요 성장에 선제적으로 대응할 수 있는 생산 기반을 전략적으로 확충하겠다”며 “수요 가시성을 고려한 투자를 통해 공급 안정성과 재무 건전성을 함께 확보하겠다”고 말했다.

[CEO스코어데일리 / 오창영 기자 / dongl@ceoscore.co.kr]