“삼성, HBM4 승세 굳히나”…엔비디아 ‘GTC’서 차세대 ‘HBM4E’ 최초 공개

삼성전자 HBM4. <사진=삼성전자>

HBM(고대역폭메모리) 패권 다툼에서 뒤처지며 경쟁사에 ‘메모리 최강자’ 타이틀을 내줬던 삼성전자가 차세대 ‘HBM4E’를 최초로 공개하며 글로벌 AI(인공지능) 메모리 리더십을 제고한다.

삼성전자는 현지시간으로 16일부터 19일까지 나흘 간 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열리는 엔비디아의 연례 기술 콘퍼런스 ‘GTC 2026’에 참가했다.

올해 GTC에서 삼성은 ‘HBM4 Hero Wall’을 마련하고, HBM 기술 리더십을 가장 먼저 조명할 수 있도록 전시 동선을 꾸렸다.

여기서 가장 주목할 제품은 7세대 HBM인 HBM4E다. 삼성전자는 HBM4E 실물 제품과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다.

현재 삼성은 HBM4 양산을 통해 축적한 1c(10나노급 6세대) D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 파운드리(반도체 위탁 생산) 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E 개발을 가속화하고 있다.

삼성 HBM4E는 메모리와 파운드리, 로직 설계 역량, 그리고 첨단 패키징 기술 등 DS(디바이스솔루션) 부문 내 모든 역량이 결집돼 핀당 16Gbps의 속도와 4.0TB/s의 대역폭을 지원할 예정이다.

아울러 삼성전자는 TCB 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고, 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB 기술을 선보이며, 차세대 HBM을 위한 패키징 기술 경쟁력도 강조했다.

이뿐만 아니다. 삼성은 엔비디아의 ‘베라 루빈(VR)’ 플랫폼에 탑재될 HBM4와 파운드리 4나노 베이스 다이 웨이퍼도 배치했다. 이에 차세대 AI 칩을 구현하는 삼성의 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 전시를 구성했다.

또한 ‘엔비디아 갤러리’를 통해 △루빈 GPU(그래픽처리장치)용 HBM4 △베라 CPU(중앙처리장치)용 SOCAMM(소캠)2 △스토리지 PM1763 등을 VR 플랫폼과 함께 전시하며 양사의 협력을 강조했다.

삼성전자 관계자는 “AI 팩토리 혁신을 위해서는 VR 플랫폼과 같은 강력한 AI 시스템이 필수적이다”며 “삼성은 이를 지원하는 고성능 메모리 솔루션을 지속적으로 공급해 나갈 예정이다”고 말했다.

[CEO스코어데일리 / 오창영 기자 / dongl@ceoscore.co.kr]

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