“AI 칩 생산 거점 확보 박차”…SK하이닉스, 용인 반도체 클러스터에 21.6조원 추가 투자

총 투자액 약 31조원으로 늘어…"반도체 수요 증대에 따른 생산 인프라 구축 필요"

SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 조감도. <사진=SK하이닉스>

SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터의 1기 팹을 서둘러 완공하기 위해 21조원이 넘는 대규모 투자를 추가 단행한다.

26일 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 SK하이닉스는 하루 전인 25일 이사회를 열고, 용인 반도체 클러스터 1기 팹과 클린룸 페이즈 2∼6기 건설에 총 21조6081억원을 투자하기로 결정했다.

투자 기간은 다음달 1일부터 2030년 12월 31일까지다.

이번 추가 투자로 반도체 클러스터 1기 팹 건설에 투입되는 자금은 약 31조원으로 확대됐다. 앞서 SK하이닉스는 2024년 7월 1기 팹과 클러스터 초기 운영에 필요한 부대 시설 건설을 위해 9조4000억원을 투자하기로 결정한 바 있다.

SK가 용인 반도체 클러스터에 대한 투자를 계속 늘리고 있는 것은 날로 치열해지는 AI(인공지능) 메모리 경쟁 속, ‘글로벌 AI 반도체 생산 거점’을 하루빨리 확보해야 한다는 판단을 내렸기 때문으로 보인다.

실제로 SK하이닉스 관계자는 이번 투자 목적과 관련해 “반도체 수요 증대에 따른 생산 인프라 구축의 필요성을 느꼈다”고 밝히기도 했다.

SK하이닉스의 용인 반도체 클러스터는 경기 용인시 처인구 원삼면 일대 415만㎡(약 126만평) 규모의 부지에 구축되는 메가급 반도체 산업단지로, SK의 첨단 AI 메모리 양산을 주도할 핵심 생산 거점이다. 약 600조원이 투입되는 이 곳에는 총 4기의 팹이 구축된다. 팹 1기가 SK하이닉스 청주캠퍼스 M15X 6기와 맞먹는 규모임을 감안하면 용인 반도체 클러스터의 규모가 실로 엄청나다는 것을 알 수 있다.

또한 국내외 소재·부품·장비(소부장) 업체 50여 곳과 함께 반도체 협력 단지도 구축키로 한 상태다.

이 곳에서 SK는 HBM(고대역폭메모리)를 비롯한 차세대 D램을 생산한다는 방침이다. 아울러 1기 팹 완공 시점의 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다.

1기 팹 공사 첫 삽을 뜬지 1년여가 지난 현재, SK하이닉스는 내년 중으로 예정된 준공 시점을 앞당기기 위해 공사를 서두르고 있다.

[CEO스코어데일리 / 오창영 기자 / dongl@ceoscore.co.kr]

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