‘SEDEX 2026’, 14일 서울 강남구 코엑스서 막 올려
‘메모리 투톱’ 삼성·SK, 7세대 ‘HBM4E’ 제품 공개
삼성, HBM4E에 1c D램·4나노 파운드리 공정 적용
SK HBM4E, 젠슨 황 사인 담긴 웨이퍼와 함께 전시
고성능 D램·낸드 등 다양한 메모리 솔루션도 뽐내

14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘SEDEX 2026’에 마련된 삼성전자 전시 부스. <사진=삼성전자>

인공지능(AI) 메모리 패권을 확보하려는 반도체 업체 간 경쟁이 날로 치열해지고 있다. ‘반도체 슈퍼 사이클’의 수혜주로 부상한 삼성전자와 SK하이닉스는 독보적인 입지를 구축하기 위해 차세대 고대역폭메모리(HBM) 경쟁력을 강화하는 데 방점을 찍었다.

삼성·SK는 ‘한국판 세미콘(Semicon)’인 ‘반도체대전(SEDEX) 2026’에서 가장 앞선 메모리 제품과 첨단 기술을 선보이며, 글로벌 톱티어 반도체 업체로서의 위상을 과시했다. 특히 양사 모두 7세대 HBM인 ‘HBM4E’를 전면에 내세우며 차세대 HBM 시장에서 대격돌을 예고했다.

올해로 28회째를 맞은 SEDEX 2026은 14일 서울 강남구 코엑스에서 대망의 막을 올렸다.

오는 16일까지 열리는 이번 SEDEX에는 메모리와 시스템 반도체, 소재·부품·장비(소부장 등 반도체 산업 전반에서 300여 개사가 참가했다. 이들 기업은 AI 칩 생태계와 혁신 기술력을 소개하며 차세대 첨단 반도체의 미래를 뽐냈다.

수많은 참가 기업 중에서도 ‘메모리 투톱’ 삼성전자와 SK하이닉스가 관람객들의 큰 관심을 받았다. 특히 삼성·SK 모두 7세대 HBM인 HBM4E를 전시해 눈길을 끌었다.

삼성전자 HBM4E. <사진=연합뉴스>

실제로 K-반도체 전시 부스에는 HBM4E 제품을 직접 보려는 관람객들로 인산인해를 이뤘다.

먼저 ‘AI 시스템 아키텍팅(Architecting AI Systems)’이라는 주제로 전시 부스를 꾸린 삼성전자는 HBM4E 실물 제품과 구체적인 구조를 전격 공개했다.

삼성의 HBM4E는 6세대 HBM ‘HBM4’에서 검증된 1c(10나노급 6세대) D램과 4나노 파운드리 공정을 동시에 적용한 것이 특징이다.

설계 및 공정 최적화를 통해 독보적인 성능도 구현했다. 핀당 동작 속도는 14Gbps에서 최대 16Gbps까지 지원한다. 이는 이전 세대 HBM4 대비 20% 이상 향상된 수치다.

용량도 대폭 확대됐다. HBM4E 12단 제품은 48GB의 고용량을 구현해 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸다. 삼성전자는 향후 고객사의 다양한 서비스 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 라인업을 확대할 방침이다.

삼성은 HBM4E 샘플 공급을 시작으로 향후 고객사 일정에 맞춰 차질 없이 양산 공급한다는 구상이다. 앞서 지난 5월 삼성전자는 업계 최고 성능의 HBM4E 12단 제품 샘플을 글로벌 고객사에 세계 최초로 출하한 바 있다.

삼성전자 관계자는 “HBM4E 샘플 공급은 단순한 제품 라인업 확대를 넘어, 향후 수년 간 폭발적으로 성장할 글로벌 AI 인프라 시장에서 삼성의 독보적인 공급 역량과 기술적 우위를 확고히 하는 계기가 될 것”이라고 기대감을 나타냈다.

14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘SEDEX 2026’에 마련된 SK하이닉스 전시 부스. <사진=SK하이닉스>

SK하이닉스는 ‘멈추지 않고 나아가는 AI 여정’을 주제로, 전시 부스를 마련했다.

SK 전시 부스의 주인공 또한 HBM4E였다. 특히 AI 반도체 공룡 엔비디아의 ‘베라 루빈’ 슈퍼 칩과 젠슨 황 엔디비아 최고경영자(CEO)의 사인이 새겨진 HBM 웨이퍼가 함께 전시돼 관람객들의 발길이 끊이지 않았다.

SK HBM4E는 HBM4 대비 성능과 전력 효율이 대폭 개선됐다. 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현함은 물론, 에너지 효율도 20% 이상 향상됐다. 이에 AI 학습과 추론에 필수적인 데이터 처리 성능이 크게 강화됐다.

우수한 성능을 인정 받은 SK하이닉스는 올 상반기 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급 완료했다.

SK하이닉스 관계자는 “그동안 축적해 온 HBM 선행 개발 역량과 생산 노하우를 바탕으로 HBM4E 12단 샘플을 고객사에 선보일 수 있었다”며 “핵심 고객사들과 긴밀히 협업해 적기 양산에 만전을 기하겠다”고 강조했다.

SK하이닉스 HBM4E. <사진=연합뉴스>

비단 HBM4E뿐만 아니다. 삼성·SK는 이번 SEDEX에서 다양한 메모리 솔루션을 대거 선보였다.

삼성전자는 메모리·로직 설계·파운드리(반도체 위탁 생산)·첨단 패키징을 아우르는 통합 역량을 중심으로 AI 응용처별 반도체 솔루션을 소개했다.

메모리 분야에서는 메모리 내부에 연산 기능을 통합한 LPDDR-PIM(Processing In Memory)을 전시했다. 또 연산 장치와 메모리 사이의 물리적 거리를 줄이는 3차원(3D) 메모리 아키텍처 기반 ‘zHBM’과 엣지 AI에 최적화된 3D 낸드플래시 솔루션 ‘zNAND-O’의 목업(실물 모형)도 공개했다.

파운드리 분야에서는 4나노 공정 기반 HBM 베이스다이와 첨단 패키징 기술인 ‘2.3D 큐브-E’, ‘3D 큐브-H’, 2나노 게이트올어라운드(GAA) 웨이퍼 등을 선보였다. 전기 신호를 광신호로 변환해 데이터를 전송하는 CPO 기반 광 인터커넥트 모형도 전시했다.

시스템LSI 분야에선 서버용 메모리 모듈에 필요한 핵심 칩을 통합 제공하는 ‘DIMM 솔루션’과 2억화소 이미지센서 ‘아이소셀 HPC’, 모바일 애플리케이션프로세서(AP) ‘엑시노스 2600’ 등을 소개했다.

14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘SEDEX 2026’에 마련된 삼성전자 전시 부스. <사진=삼성전자>

SK하이닉스는 AI 서버 환경에 최적화된 고성능 서버용 D램은 물론 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD), PC·모바일용 메모리 및 스토리지 솔루션 등을 뽐냈다.

서버용 D램 분야에서는 AI 워크로드에 맞춰 업계 최대 용량을 구현한 ‘256GB 3DS RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module)’, 고대역폭을 제공하는 ‘128GB MRDIMM(Multiplexed Rank Dual In-line Memory Module)’, 세계 최초로 1c 공정을 적용한 ‘64GB RDIMM’ 등을 선보였다.

기업용 SSD 분야에선 액체 냉각(DLC)을 지원하는 ‘PEB210 E1.S 9.5mm’와 ‘PEB210 M.2 2280’, SK하이닉스 최초로 QLC(Quadruple Level Cell) 기반으로 개발한 ‘PS1101 E3.S 7.5mm’ 등이 공개됐다.

PC 및 모바일 분야에서는 DDR5 CSODIMM(Compression Attached Small Outline DIMM), GDDR7, LPDDR5X, LPDDR6 등 다양한 D램 제품이 전시됐다. 이와 함께 PCB01 M.2 2280, PVF01 M.2 2242, PQF02 M.2 2230 등 PC용 SSD와 UFS4.1, UFS5.0 등 모바일 낸드 솔루션도 소개됐다.

SK하이닉스 관계자는 “현재의 AI 메모리 솔루션 경쟁력과 차세대 메모리 기술 및 전체 메모리 계층 최적화를 바탕으로 AI 시대의 지속적인 성장을 이끌어 나가겠다”고 미래 비전을 제시했다.

[CEO스코어데일리 / 오창영 기자 / dongl@ceoscore.co.kr]