“‘차세대 AI’ 위한 칩 기술 기반 마련”…삼성, ASML과 12인치 포토 마스크 공동 개발

삼성전자, ASML 주도 ‘대형 마스크 컨소시엄’ 참여
기존 6인치→12인치 마스크 전환 위한 공동 연구 협력
2028년까지 D램 제조에 High NA EUV 도입 협업 강화

삼성전자 화성캠퍼스. <사진=삼성전자>

삼성전자가 글로벌 반도체 제조 장비 기업인 네덜란드 ASML과 손잡고 차세대 12인치 포토 마스크 공동 개발에 나선다.

삼성전자는 ASML이 주도하는 ‘대형 마스크 컨소시엄(Large Size Mask Consortium)’에 참여한다고 8일 밝혔다.

대형 마스크 컨소시엄은 현재 반도체 노광 설비에 사용되는 6인치 마스크를 12인치 마스크로 확대 전환하기 위해 꾸려진 협의체다. 컨소시엄은 노광 설비와 포토 마스크 관련 글로벌 기술 동향을 함께 모니터링하고, 12인치 포토 마스크 개발을 목표로 공동 연구 및 표준 개발 협력에 나선다는 구상이다.

포토 마스크는 미세 회로 패턴을 정교하게 새긴 정밀 ‘마스크(틀)’로, 노광 설비 내에서 빛을 통해 웨이퍼에 설계된 패턴을 새기는 필수 도구다. 여기서 회로를 얼마나 정밀하게 새기는지에 따라 반도체 성능과 수율이 좌지우지된다.

특히 차세대 노광 설비인 고개구율(High NA) 극자외선(EUV) 도입으로 인해 기존 6인치 대비 12인치로 전환해야 할 필요성이 더욱 커지고 있다. 나눠 새기고, 이를 연결하는 작업(stitching) 제약을 해소할 수 있어, 팹 생산성을 높이고 칩 제조 비용을 낮출 수 있기 때문이다.

무엇보다 설계 단계에서 수백억개의 트랜지스터를 정밀하게 배치하는 첨단 반도체의 경우, 12인치 마스크를 통해 High NA EUV 설비의 이점을 온전히 활용할 수 있다.

삼성전자는 메모리 및 파운드리(반도체 위탁 생산) 분야에서 업계를 선도해 온 기업이다. 이에 오랜 EUV 사용 경험과 기술 리더십을 보유하고 있다. 이번에 컨소시엄에 참여하게 된 삼성은 12인치 포토 마스크 전환에 있어 핵심적인 역할을 수행할 것으로 기대된다.

아울러 삼성전자는 ASML과 2028년까지 첨단 D램 제조에 High NA EUV 도입을 위한 협력도 강화키로 했다. 이는 High NA 기술이 첨단 메모리 제조에도 적용될 준비가 됐다는 것을 의미한다. 삼성은 High NA EUV 도입을 통해 더욱 정밀한 패터닝으로 D램 미세화 로드맵을 연장하고, 공정 단순화와 생산성 제고를 동시에 실현할 수 있을 것으로 전망하고 있다.

삼성전자는 ASML과 함께 쌓아 온 성공적인 협력 성과를 바탕으로, 첨단 인공지능(AI) 반도체 제조에 요구되는 성능과 효율을 한 단계 끌어올릴 기술 개발과 도입을 더욱 앞당긴다는 방침이다.

전영현 삼성전자 대표이사 부회장은 “AI 시대의 도래는 반도체 산업 패러다임을 바꾸고 있고, 밸류체인(가치사슬) 전반에서 기술 혁신의 중요성을 더욱 높이고 있다”며 “삼성전자는 혁신 기술과 강한 파트너십을 바탕으로 파운드리와 메모리를 포함한 첨단 반도체 제조 리더십을 이어가고, ASML과의 협력을 한층 강화함으로써 ‘차세대(Next) AI’를 위한 기술 기반을 마련해 나가겠다”고 밝혔다.

[CEO스코어데일리 / 오창영 기자 / dongl@ceoscore.co.kr]

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