13~16일 미 새너제이서 열린 ‘OCP 글로벌 서밋’ 참가
성능·대역폭·용량 등 최적화한 ‘AIN Family’ 전격 소개

김천성 SK하이닉스 eSSD제품개발담당 부사장이 10월 13~16일 나흘 간 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 ‘2025 OCP 글로벌 서밋’ 이그제큐티브 세션에서 발표하고 있다. <사진=SK하이닉스>

SK하이닉스가 AI(인공지능) 시대를 이끌어 나갈 차세대 낸드플래시 스토리지 제품 전략을 선보이며 AI 메모리 리더십을 한층 제고하고 있다.

SK하이닉스는 현지시간으로 13일부터 16일까지 나흘 간 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 ‘2025 OCP(Open Compute Project) 글로벌 서밋’에 참가했다고 27일 밝혔다.

이번 서밋에서 김천성 SK하이닉스 eSSD제품개발담당 부사장은 이그제큐티브 세션 발표자로 나서 ‘AIN(AI-NAND) Family’에 대해 소개했다.

AIN Family는 △성능(Performance) △대역폭(Bandwidth) △용량(Density) 등 세 가지 측면별로 최적화된 낸드 솔루션 제품으로, 데이터 처리 속도 향상과 저장 용량 극대화를 구현한 제품군이다.

이와 관련해 SK하이닉스 관계자는 “AI 추론 시장이 급성장하면서 많은 데이터를 신속하고 효율적으로 처리할 수 있는 낸드 스토리지 제품 수요가 크게 확대되고 있다”며 “이에 SK는 AIN Family 라인업을 구축해 AI 시대에 최적화된 솔루션 제품으로 고객들의 수요를 충족시키겠다”고 말했다.

먼저 AIN P는 대규모 AI 추론 환경에서 발생하는 방대한 데이터 입출력을 효율적으로 처리하는 솔루션이다. AI 연산과 스토리지 간 병목 현상을 최소화해 처리 속도와 에너지 효율을 대폭 향상시킨다. 이를 위해 SK는 낸드와 컨트롤러를 새로운 구조로 설계 중이다. 내년 말 샘플을 출시하는 것이 목표다.

이와 달리 AIN D는 저전력, 저비용으로 대용량 데이터를 저장하는데 초점을 맞춘 고용량 솔루션이다. 기존 QLC(Quadruple Level Cell) 기반 TB급 SSD(솔리드스테이트드라이브)보다 용량을 최대 PB급으로 높이고, SSD의 속도와 HDD(하드디스크드라이브)의 경제성을 동시에 구현한 중간 계층 스토리지를 목표로 한다.

10월 13~16일 나흘 간 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 ‘2025 OCP 글로벌 서밋’. <사진=SK하이닉스>

마지막으로 AIN B는 낸드를 적층해 대역폭을 확대한 솔루션으로, ‘HBF(D램을 적층해 만든 HBM처럼 낸드를 적층해 만든 제품)’로 불리는 기술을 적용한 SK하이닉스만의 제품명이다.

글로벌 최고 수준의 HBM(고대역폭메모리) 개발, 생산 역량을 보유한 SK하이닉스는 AI 추론 확대, LLM(거대언어모델) 대형화에 따른 메모리 용량 부족 문제를 해결하기 위해 일찍부터 AIN B 연구에 착수한 상태다. 대용량, 저비용의 낸드에 HBM 적층 구조를 결합한 것이 핵심이다.

SK는 AIN B를 HBM과 함께 배치해 용량 문제를 보완하는 구조 등 다양한 활용 방안을 검토하고 있다.

이를 위해 SK하이닉스는 미국 샌디스크와 함께 이달 14일 OCP 행사장 인근 과학 기술 센터(The Tech Interactive)에서 글로벌 빅테크 관계자들을 초청해 ‘HBF 나이트’를 열었다.

국내외 교수진이 참가해 패널 토의로 진행된 이날 행사에는 수십여 명의 업계 주요 아키텍트(반도체·시스템 설계 전문가)와 기술진들이 참석했다. 이 곳에서 SK는 낸드 스토리지 제품 혁신을 가속화하기 위한 업계 차원의 협력을 제안했다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 “이번 OCP 글로벌 서밋과 HBF 나이트를 통해 AI 중심으로 급변하는 시장 환경에서 ‘글로벌 AI 메모리 솔루션 프로바이더’로 성장한 SK하이닉스의 현재와 미래를 선보일 수 있었다”며 “차세대 낸드 스토리지에서도 고객과 다양한 파트너와 협력해 AI 메모리 시장의 핵심 플레이어로 올라설 수 있도록 하겠다”고 전했다.

[CEO스코어데일리 / 오창영 기자 / dongl@ceoscore.co.kr]