SK하이닉스, 차세대 HBM 리더십 이어간다…1c 공정 D램 기술로 1등 위상 제고

장태수 부사장, ‘상공의 날’ 기념 행사서 대통령 표창 수상
세계 최초 10나노급 6세대 미세 공정 DDR5 D램 개발 공로
AI 핵심 메모리 HBM 개발 가속…SK, ‘HBM 1등’ 지속한다

장태수 SK하이닉스 미래기술연구원산하담당 부사장. <사진=SK하이닉스>

장태수 SK하이닉스 미래기술연구원산하담당 부사장이 세계 최초로 1c(10나노급 6세대) 미세 공정 기술을 적용한 DDR5 D램 개발 공로를 인정 받아 대통령 표창을 받았다. 장 부사장이 개발한 해당 기술은 차세대 HBM(고대역폭메모리) 개발을 더욱 가속화할 것으로 기대를 모은다.

SK하이닉스는 장 부사장이 하루 전인 19일 서울 중구 대한상공회의소(대한상의)에서 열린 ‘제52회 상공의 날’ 기념 행사에서 대통령 표창을 받았다고 20일 밝혔다.

상공의 날은 산업 및 경제 발전을 이끈 상공업자의 노고를 기리고, 기업 경쟁력을 높이기 위해 제정된 기념일로, 매년 상공업 발전에 기여한 기업인·근로자·단체 등을 대상으로 상을 수여한다.

장 부사장은 SK하이닉스 뉴스룸 인터뷰에서 “이번 1c 공정 기반 16Gb DDR5 D램 개발로 SK하이닉스는 기술 리더십을 한층 강화하게 됐다”며 “앞으로도 지금의 성공을 차세대 기술 개발로 이어가 1등 위상을 공고히 하는 데 최선을 다하겠다”고 말했다.

장 부사장은 20년 간 메모리 선행 기술 및 소자 연구에 매진한 전문가로, 44나노부터 10나노까지 10세대에 걸쳐 핵심 기술 개발에 참여한 베테랑이다.

그는 기존 소자의 미세화 한계를 극복하기 위해 말 안장 모양의 핀펫(FinFET)인 ‘Saddle-Fin’ 구조를 개발하고, D램 셀 트랜지스터에 성공적으로 적용해 44나노 D램을 세계 최초로 양산하는 데 기여했다. 해당 기술은 모든 D램 제조사로 확산돼 업계 표준으로 자리 잡은 바 있다.

이후 1c D램 개발 TF(태스크포스)에서 소자 총괄 리더로 참여한 장 부사장은 최단 기간 내 1c 공정 기반 DDR5 D램을 개발하는 성과를 냈다.

1c 공정 기술은 메모리 성능을 높이고 전력 소비를 줄이는 첨단 선행 기술로, HPC(고성능 컴퓨팅)과 AI(인공지능) 반도체 성장의 필수 기술로 여겨진다.

장 부사장은 “세계 최초, 최단 기간 내 초미세 공정 기술 개발을 통해 SK하이닉스가 가장 먼저 최첨단 D램 기술 주도권을 확보했다”며 “초고속·저전력 제품을 선제적으로 고객에게 공급하고, 프리미엄 시장에 빠르게 진입해 초기 수요를 선점하는 효과를 얻을 수 있다”고 자평했다.

이번 기술은 AI 핵심 메모리인 HBM 성능을 높이는 데에도 기여할 전망이다.

장 부사장은 “D램 셀 크기를 줄이면 HBM의 칩 크기와 높이를 유지하면서 용량을 늘릴 수 있고, HBM 내부에 다양한 설계를 시도해 여러 기능을 추가할 수 있다”며 “미세화를 통해 작아진 칩과 감소한 전력은 HBM 열 관리에도 긍정적인 효과를 낸다”고 말했다.

이어 “이를 토대로 완성된 HBM은 AI 산업 발전을 가속할 것으로 예상한다”고 덧붙였다.

장 부사장은 미세 공정 혁신에 더욱 속도를 내겠다는 포부를 내비쳤다.

장 부사장은 “데이터 저장을 담당하는 캐패시터의 면적을 확보하기 위해 고유전율 소재 및 새로운 구조의 캐패시터 개발에 주력하고 있다”며 “데이터 입출력을 담당하는 셀 트랜지스터의 누설 전류를 최소화하고자 구조 혁신에도 힘쓰는 중이다”고 밝혔다.

그는 “앞으로도 지금의 성공을 차세대 기술 개발로 이어가 SK하이닉스의 ‘메모리 최강자’ 위상을 더욱 공고히 하겠다”고 전했다.

[CEO스코어데일리 / 오창영 기자 / dongl@ceoscore.co.kr]

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