“SK하이닉스 일냈다”…세계 최초 10나노급 6세대 D램 개발

세계 최고 성능 1b 플랫폼 확장해 효율적으로 1c 개발
신소재 적용·EUV 공정 최적화…전력 비용 최대 30%↓
연내 1c DDR5 양산 준비 완료…내년부터 본격 공급

10나노급 6세대 1c 미세 공정이 적용된 SK하이닉스 16Gb DDR5 D램. <사진=SK하이닉스>

SK하이닉스가 10 나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정 기술을 세계 최초로 선보인다.

SK하이닉스는 10나노급 6세대 1c 미세 공정을 적용한 16Gb DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 29일 밝혔다.

SK하이닉스 관계자는 “10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세 공정의 난이도가 극도로 높아졌으나, 당사는 업계 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술 한계를 돌파했다”며 “연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 가겠다”고 강조했다.

SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다. 이를 통해 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이는 것은 물론, 업계 최고 성능 D램으로 인정받는 SK하이닉스 1b의 강점을 가장 효율적으로 1c로 옮겨 왔다는 평가가 나온다.

또 EUV(극자외선) 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보했다. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상 시켰다.

고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작 속도는 8Gbps로, 이전 세대 대비 11% 빨라졌다. 전력 효율은 9% 이상 개선됐다.

AI 시대가 본격화하면서 데이터센터의 전력 소비량이 늘고 있는 가운데 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객사들이 SK하이닉스 1c D램을 데이터센터에 적용할 경우 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 기대를 모은다.

김종환 SK하이닉스 D램개발담당 부사장은 “최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 HBM(고대역폭메모리), LPDDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것이다”며 “앞으로도 당사는 D램 시장 리더십을 지키면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다”고 말했다.

[CEO스코어데일리 / 오창영 기자 / dongl@ceoscore.co.kr]

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