26일 이사회서 약 9조4000억원 규모 투자 계획 결의
용인 클러스터 1기 팹 및 부대시설 건설 비용 확정
“한국 반도체 산업 경쟁력 제고…경제 활성화 기여”
SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹과 업무 시설 건설에 10조원에 육박하는 대규모 자금을 쏟아 붓는다.
SK하이닉스는 26일 이사회에서 약 9조4000억원의 용인 반도체 클러스터 투자 계획을 결의했다고 이날 밝혔다.
SK하이닉스 관계자는 “기존에 정해진 일정대로 용인 클러스터에 들어설 첫 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월에 준공할 계획이다”며 “이에 앞서 이사회의 투자 의사결정을 받은 것이다”고 말했다.
이어 “회사의 미래 성장 기반을 다지고, 급증하고 있는 AI 메모리 반도체 수요에 적기 대응하기 위해 팹 건설에 만전을 기하겠다”고 덧붙였다.
경기 용인시 원삼면 일대 415만㎡(약 125만5375평) 규모 부지에 조성되는 용인 클러스터는 현재 부지 정지 및 인프라 구축 작업이 진행 중이다. SK하이닉스는 이곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개를 짓고, 국내외 50여 개 소재·부품·장비(소부장) 업체들과 함께 반도체 협력 단지를 구축할 예정이다.
또 첫 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공해 용인 클러스터를 ‘글로벌 AI 반도체 생산 거점’으로 조성키로 했다.
이번에 승인된 투자액에는 1기 팹과 함께 부대시설과 업무지원동, 복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설 비용이 모두 포함됐다.
투자 기간은 팹 건설을 준비하기 위한 설계 기간과 2028년 하반기 준공 예정인 업무지원동 등을 고려해 2024년 8월부터 2028년 말까지로 산정했다.
SK하이닉스는 첫 번째 팹에서 대표적인 AI 메모리인 HBM(고대역폭메모리)을 비롯해 차세대 D램을 생산할 예정이다. 아울러 완공 시점 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비해 나가기로 했다.
이와 함께 SK하이닉스는 국내 소부장 업체들의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 ‘미니팹’을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다. 미니팹을 통해 실제 생산 현장과 유사한 환경을 소부장 협력사들에게 제공해 이들이 자체 기술의 완성도를 높일 수 있도록 최대한 지원한다는 구상이다.
김영식 SK하이닉스 제조기술담당 부사장은 “용인 반도체 클러스터는 SK하이닉스의 중장기 성장 기반이자 협력사들과 함께 만들어 가는 혁신과 상생의 장이 될 것이다”며 “SK하이닉스는 대규모 산단 구축을 성공적으로 완수하고, 대한민국 반도체 기술력과 생태계 경쟁력을 획기적으로 높여 국가 경제 활성화에 기여하겠다”고 말했다.
[CEO스코어데일리 / 오창영 기자 / dongl@ceoscore.co.kr]
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