입력 2024-06-19 17:52:20
650V GaN HEMT 소자 특성 확보
SK하이닉스 이천공장. <사진=SK하이닉스>
SK키파운드리가 차세대 전력 반도체 GaN(질화갈륨)의 주요 소자 특성을 확보하고, 연내 개발을 완료하기 위해 박차를 가하고 있다.
SK키파운드리는 최근 650V GaN 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT) 소자 특성을 확보했다고 19일 밝혔다.
650V GaN HEMT는 전력 효율이 높아 방열 기구 비용을 감소시킨다. 이에 기존 실리콘과 비교해 최종 고객의 시스템 가격은 큰 차이가 나지 않게 된다.
이로 인해 고속 충전 어댑터, LED(발광다이오드) 조명, 데이터센터와 ESS(에너지저장장치), 태양광 마이크로 인버터 등 각 시장에서 사업을 영위하고 있는 팹리스(반도체 설계) 업체들의 프리미엄 제품 개발에 도움이 될 것이라는 게 SK키파운드리의 입장이다.
SK키파운드리는 신규 고객 발굴과 함께 650V GaN HEMT에 관심을 보이는 다수의 기존 전력 반도체 공정 사용 고객을 상대로 프로모션에 나서기로 했다.
GaN은 기존 실리콘 기반의 반도체보다 저손실, 고효율, 소형화가 가능해 차세대 전력 반도체로 불린다.
시장조사기관 옴디아에 따르면 GaN 전력 반도체 시장은 2023년 5억달러에서 2032년 64억달러로, 연평균 33% 성장할 것으로 전망된다.
SK키파운드리는 650V GaN HEMT를 기반으로 다양한 전압의 GaN HEMT와 GaN IC까지 제공할 수 있는 GaN 포트폴리오를 구축해 나간다는 구상이다.
이동재 SK키파운드리 대표는 “SK키파운드리의 강점인 고전압 BCD와 더불어 차세대 전력 반도체를 준비 중이다”며 “GaN뿐만 아니라 향후 SiC(실리콘카바이드)까지 전력 반도체 라인업을 넓혀 전력 반도체 전문 파운드리(반도체 위탁 생산) 업체로 자리매김하겠다”고 밝혔다.
[CEO스코어데일리 / 오창영 기자 / dongl@ceoscore.co.kr]
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