삼성, 낸드 리더십 강화한다…QLC 낸드 개발해 AI용 스토리지 시장 공략

올 하반기 QLC 기반 낸드 개발 목표

삼성전자 ‘1Tb TLC 9세대 V낸드’. <사진=삼성전자>

삼성전자가 올해 하반기 중으로 QLC(Quad Level Cell) 기반 낸드플래시 제품을 개발해 AI(인공지능)용 고용량 스토리지 시장을 적극 공략한다.

현재웅 삼성전자 상품기획실 상무는 21일 삼성전자 뉴스룸에 게재된 ‘초거대 AI 시대의 랜드마크, 삼성전자 V낸드’라는 제목의 게시물에서 “AI용 고용량 스토리지 서버에 대한 관심이 높아지고 있다”며 “삼성전자 V낸드는 고성능 스토리지로서 정확하고 빠른 AI 서비스를 실현하는 데 크게 기여할 것이다”고 말했다.

AI 시대에는 초고속 병렬 연산을 지원하는 HBM(고대역폭메모리) 외에도 다양한 메모리 솔루션이 요구된다. 특히 LLM(거대언어모델) 데이터 학습을 위해 대규모 데이터를 담을 공간뿐만 아니라 추론 단계에서 알고리즘이 빠르게 동작할 수 있는 고성능 스토리지가 필요하다.

현 상무는 “AI용 데이터센터 전력 비용에 제한이 있어 단일 스토리지 서버당 고용량 메모리가 필수다”며 “체크포인트(모델 학습 과정 중 현재 상태를 저장하는 특정 지점) 유지 중요성과 멀티모달 AI 모델 확산으로 고성능 스토리지 수요도 늘고 있다”고 설명했다.

그러면서 “이같은 흐름의 영향으로 현재 고용량 낸드에 대한 시장의 관심이 어느 때보다도 높은 상태다”며 “삼성은 QLC 기반 제품을 개발해 AI용 고용량 스토리지 시장에 적극 대응할 예정이다”고 덧붙였다.

이어 “향후 생성형 AI를 넘어 스스로 학습하는 머신의 데이터를 처리할 더 많은 스토리지 공간이 필요할 것이다”며 “중장기 관점에서 낸드 시장은 견조한 흐름을 보일 것이다”고 예측했다.

이에 삼성전자는 현 시장의 흐름을 읽고, 고객의 요구 사항을 만족시킬 수 있는 제품을 개발해 적기에 제공한다는 방침이다.

현 상무는 “삼성전자는 AI 서버용 제품을 중심으로 포트폴리오 구성을 강화하고 있다”며 “중장기적으로는 온디바이스(On device) AI, 오토용 제품, 엣지 디바이스 등 차세대 응용 제품의 포트폴리오를 확대해 가고 있다”고 강조했다.

앞서 지난달 삼성전자는 업계 최초로 1Tb TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드 양산을 시작하며 글로벌 낸드 시장에서의 리더십 제고에 나섰다. 9세대 V낸드는 업계 최소 크기 셀과 최소 몰드(셀을 동작시키는 층) 두께가 구현돼 이전 세대보다 약 1.5배 높은 비트 밀도를 자랑한다.

셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 간섭 현상을 제어하고, 제품 속도와 소비 전력, 품질과 신뢰성을 높인 것이 특징이다.

홍승완 삼성전자 플래시개발실 부사장은 “9세대 V낸드는 2013년 삼성전자가 세계 최초로 양산한 3차원 수직 구조의 1세대 V낸드 이후 9번째로 단수를 높인 낸드다”며 “이전 8세대 대비 저장 공간 밀도를 1.5배 늘려 약 1Tb의 셀을 단일 칩 안에 구현했다”고 설명했다.

이어 “최신 설계 기술을 적용해 이전 제품보다 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도와 10% 이상 개선된 소비 전력을 자랑한다”며 “더블 스택 구조의 업계 최고 단수 제품이다”고 덧붙였다.

삼성은 향후 낸드 시장에서의 경쟁력을 더욱 공고히 다진다는 구상이다. 홍 부사장은 “낸드는 고용량, 고성능 요구에 부합하는 방향으로 기술이 발전되고 있다”며 “이를 지원하기 위해 스택당 고종횡비(HARC) 식각 공정 수를 최소화하는 기술, 고성능 소자 제조를 위한 하이 메탈 게이트 공정 기술, 다양한 조합의 멀티 본딩 기술 등을 통해 혁신을 이어가겠다”고 말했다.

[CEO스코어데일리 / 오창영 기자 / dongl@ceoscore.co.kr]

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