반도체 가격 또 하락?…삼성·SK하이닉스, `초격차`로 뚫는다

트렌드포스, 내년 1분기 D램 가격 8~13% 하락 전망…"수요 하락기"
삼성·SK하이닉스, 반도체 신공정·신제품 나란히 공개…신기술로 돌파

D램 가격이 내년 1분기 또 다시 하락할 것이란 전망이 나오고 있지만 삼성전자와 SK하이닉스는 반도체 신공정과 신제품을 나란히 공개하며 '기술 초격차'에 힘을 주고 있다. 앞서 D램 가격 하락 전망이 제기된 올해 하반기에도 앞선 기술력을 바탕으로 예상을 뛰어넘은 실적을 낸 만큼 향후에도 기술력으로 불확실성을 돌파한다는 의지로 풀이된다.

17일 업계에 따르면 시장조사업체 트렌드포스는 최근 보고서를 통해 내년 1분기 D램 평균판매가격이 올해 4분기 대비 8~13% 하락할 것으로 전망했다.

품목별로 보면 PC용 D램 가격은 DDR4 기준 5~10% 하락하고, 서버용 D램도 8~13% 떨어질 것으로 예상했다. 모바일용 D램 가격도 공급 과잉 여파로 올해 4분기 대비 8~13% 떨어질 것으로 봤다.

트렌드포스는 "내년 1분기 D램의 전체 수요는 주기적인 하락기에 접어들면서 D램 가격도 하향세일 것"이라며 "앞으로 하락세가 진정될지 여부는 공급업체가 얼마나 재고를 잘 관리하는지 여부와 수요 업체가 가격을 어떻게 전망하는 지에 달려있다"고 설명했다.

이 같은 반도체 시장 악화 전망에도 국내 반도체 양대산맥인 삼성전자와 SK하이닉스는 신기술 개발을 통한 초격차에 속도를 내고 있다. 앞서 D램 가격 하락전망이 제기된 올해 하반기에도 기술력을 바탕으로 예상치를 뛰어넘은 수요를 확보, 역대급 실적을 이어갔다.

실제 트렌드포스도 차세대 제품인 DDR5는 내년 1분기 가격 하락 폭이 3~8%에 그칠 것으로 예상하고 있다. 최신 기술을 적용한 제품의 경우 시장 업황 부진의 영향을 덜 받을 것이라는 분석이다.

삼성전자와 IBM이 공동 개발한 새 반도체 기술 'VTFET' 아키텍처(왼쪽)와 SK하이닉스가 업계 최초로 샘플 출하한 24Gb DDR5 D램·96GB·48GB D램 모듈<사진제공=각사>

삼성전자는 최근 IBM과 공동 연구해 반도체 성능을 기존 제품보다 2배까지 향상하고 전력 사용량은 85%까지 낮출 수 있는 새로운 반도체 공정 'VTFET(VT펫)'을 공개했다.

이 공정은 트랜지스터를 수직으로 쌓을 수 있도록 하는 기술이다. 한정된 면적 안에 더 많은 트랜지스터를 넣어 반도체 성능을 획기적으로 높일 수 있다.

삼성전자와 IBM은 이 공정을 활용할 경우 1주일간 충전 없이도 사용할 수 있는 휴대폰 배터리 개발도 가능하다는 설명이다. 또 암호화폐 채굴, 데이터 암호화 등 높은 전력을 필요로 하는 작업의 전력 사용량과 탄소 배출량을 절감할 수 있다고 설명했다.

SK하이닉스도 같은 날 D램 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 24Gb DDR5 제품 샘플을 출하했다. 지난해 10월 업계 최초로 DDR5를 출시한 데 이어 1년 2개월 만에 최대 용량 제품을 선보인 것이다.

신제품에는 EUV 공정을 도입한 10나노 4세대 기술이 적용됐다. 기존 대비 속도는 최대 33% 빨라지고 전력 소모는 25% 줄였다.

SK하이닉스는 현재 샘플을 인텔로 보내 CPU 등 각종 부품과 호환성을 점검 중이다. 향후 48GB, 96GB 두 가지 모듈로 우선 출시돼 클라우드 데이터센터에 공급될 예정이다. 이어 인공지능(AI), 머신러닝과 같은 빅데이터 처리와 메타버스 구현 등을 위한 고성능 서버에도 활용될 전망이다.

SK하이닉스 관계자는 “신제품 출시 일정에 맞춰 클라우드 고객사들과 협업하고 있다”며 “향후에도 신제품 지속 개발을 통해 시장 주도권을 확대할 것”이라고 말했다.

[CEO스코어데일리 / 유영준 기자 / yjyoo@ceoscore.co.kr]

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