삼성, 미 텍사스주 테일러시에 두 번째 팹 구축키로
“첫 번째 팹보다 1.5배 더 커…2030년 완공 예정”
신규 공장 추가 건설에 파운드리 경쟁력 제고 기대
2나노 수율도 대폭 개선…삼성 파운드리 부활하나
삼성전자가 미국 내 파운드리(반도체 위탁 생산) 양산 능력을 더욱 확대한다. 현재 미 텍사스주 테일러시에 건설 중인 첫 번째 팹 옆에 신규 팹을 추가로 짓겠다는 구상이다. 2030년 두 번째 파운드리공장이 완공되면 삼성의 첨단 칩 생산 역량은 한층 고도화될 전망이어서, 삼성 파운드리가 재도약할 것이라는 기대감 또한 높아지는 모습이다.
미국 텍사스주 오스틴 현지 매체 KXAN은 현지시간으로 15일 삼성전자가 두 번째 파운드리 생산 설비 건설을 곧 시작할 것이라고 보도했다.
KXAN은 “삼성은 미 텍사스주 테일러시 인근에 짓고 있는 첫 번째 팹 옆에 두 번째 팹을 구축할 예정이다”며 “해당 신규 공장은 2030년에 완공될 것으로 예상한다”고 말했다.
두 번째 팹의 착공 시점도 공개됐다. KXAN은 조나단 테일러 삼성오스틴반도체(Samsung Austin Semiconductor) 인프라기술담당 부사장을 인용해 “신규 팹 건설은 다음달 초에 시작될 것으로 예상한다”고 전했다.
다만 공식적인 착공 일정은 아직 발표되지 않은 상태다.
공장 규모와 관련해선 “두 번째 팹은 첫 번째 팹보다 1.5배 더 커질 것이다”고 목소리를 높였다.
삼성전자는 두 번째 테일러공장에서 2나노 공정 기반 첨단 반도체가 양산될 것이라고 강조했다. 이와 관련해 테일러 부사장은 “2나노 기술은 세계에서 가장 앞선 칩 제조 기술 중 하나다”고 밝혔다.
사실상 삼성전자의 신규 팹 추가 건설이 임박하면서 삼성 파운드리의 부활이 본격화하는 것 아니냐는 분석이 힘을 얻고 있다.
삼성은 미 텍사스주 테일러시를 파운드리사업부의 미래를 이끌어 나갈 핵심 생산 거점으로 삼고, 대규모 투자를 단행해 왔다.
2021년 삼성은 테일러시에 170억달러 규모의 파운드리공장을 짓겠다는 계획을 발표하고, 첨단 생산라인 구축에 돌입했다. 특히 해당 공장은 선단 공정인 2~4nm(1nm는 10억분의 1m) 기반 파운드리 생산 설비를 갖출 것으로 전해졌다.
완공 막바지에 다다른 첫 번째 팹은 올 연말께 완전 가동에 들어갈 예정이다.
여기에 삼성전자는 2030년까지 누적으로 약 370억달러를 투자해 테일러공장에 추가로 신규 공장을 건설하고, 패키징 시설과 첨단 연구개발(R&D) 시설도 신축키로 했다.
이렇듯 첫 번째 팹에 이어 두 번째 팹까지 확보하게 될 경우, 삼성의 파운드리 경쟁력은 대폭 강화될 것이란 게 업계의 중론이다.
여기에 안정적인 수준의 2나노 수율을 확보했다는 점도 삼성 파운드리에 호재다.
그간 삼성전자는 글로벌 파운드리 시장 1위 대만 TSMC에 밀려 상당 기간 고전해 왔다. 위기를 의식한 삼성전자는 1.4나노 등 차세대 공정 개발보다 2나노 등 선단 공정 수율 개선에 주력하는 형태로 파운드리 전략을 수정했다.
삼성은 지난해 ‘SAFE 포럼’에서 1.4나노 양산 목표를 당초 2027년에서 2029년으로 2년 늦추기로 했다. 대신 2나노 공정의 완성도를 높여 팹 가동률과 수익성을 높이겠다는 목표를 제시했다.
기술 초격차 전략을 강조해 온 삼성이 스스로 해당 전략을 내려놓기로 한 것은 시사하는 바가 크다. 첨단 공정 경쟁에만 몰두하다 보니 정작 중요한 상용화 시장에서 경쟁력을 높이는데 실패했다는 것을 스스로 시인한 셈이다.
사실상 삼성은 파운드리 경쟁자인 TSMC와의 격차가 큰 폭으로 벌어지자, 초미세 공정인 1.4nm 개발에서 한발 물러서는 대신 2nm 공정에 집중해 수율을 개선하는 데 방점을 찍었다. 이를 토대로 전 세계 파운드리 시장 점유율을 확대하는 방향으로 전략을 수정한 것으로 보인다.
그리고 마침내 삼성의 2나노 공정 수율이 수익성 확보 단계인 70% 이상으로 개선됐다는 긍정적인 평가가 잇따르고 있다.
이렇듯 최근 삼성전자가 파운드리 역량을 대폭 제고하고 있는 것은 이재용 삼성전자 회장이 강조해 온 ‘기술 초격차’ 전략에 따라 경쟁력 강화에 힘쓴 덕분이다.
이 회장은 앞서 지난 2019년 4월 ‘시스템 반도체 비전 2030’을 통해 “메모리 반도체에 이어 파운드리를 포함한 시스템 반도체에서도 확실히 1등을 하겠다”고 선언한 바 있다.
이어 “2030년까지 시스템 반도체 생산 및 연구개발(R&D)에 133조원을 투자해 전 세계 파운드리 1위인 대만 TSMC를 넘어서겠다”고 도전장을 냈다.
또한 삼성전자는 대규모 투자를 단행해 게이트올어라운드(GAA) 공정 리더십을 더욱 강화한다는 포부도 내비쳤다.
이뿐만 아니다. 삼성은 지난 3월 ‘2026년 삼성전자 기업 가치 제고 계획’을 통해 올해 110조원 이상의 투자를 집행한다고 밝혔다. 삼성의 연간 투자 규모가 100조원을 상회하는 것은 이번이 처음이다.
해당 재원은 반도체 사업을 영위하고 있는 디바이스솔루션(DS) 부문에 집중될 전망이다.
향후 삼성전자의 미 핵심 생산 거점인 테일러 팹 두 곳이 선단 공정의 안정적인 수율을 기반으로 첨단 칩 생산을 본격화한다면, 글로벌 파운드리 시장에서의 위상은 한층 공고해질 것으로 기대를 모은다.
시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 2분기 삼성전자의 글로벌 파운드리 시장 점유율은 5.9%를 기록했다.
이는 세계 1위 TSMC에 턱 없이 모자란 수치다. 올 2분기 TSMC의 파운드리 시장 점유율은 무려 72.5%에 달한다.
삼성전자와 TSMC 간 점유율 격차는 66.6%p나 됐다. 글로벌 파운드리 시장 2위라는 타이틀이 무색하게 삼성이 TSMC와의 간극을 좀처럼 좁히지 못하고 있는 것이다.
이같은 상황에서, 삼성이 테일러공장에서 첨단 AI 칩을 적극 양산한다면 삼성의 파운드리 지배력은 폭발적으로 확대될 것으로 보인다.
이는 만년 적자 사업부로 여겨졌던 삼성 파운드리의 실적을 개선하는 데도 지대한 영향을 미칠 전망이다.
[CEO스코어데일리 / 오창영 기자 / dongl@ceoscore.co.kr]










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