SK하이닉스, ‘소비 전력 낮춘 D램 개발’ 구성원에 혁신 특허 포상

SK하이닉스 혁신 특허 포상 시상식. <사진=SK하이닉스>

SK하이닉스가 D램 메모리 반도체 소비 전력의 효율을 개선하는 등 회사 성장과 기술 혁신에 기여한 구성원에 포상을 실시했다.

SK하이닉스는 특허를 발명한 자사 구성원을 대상으로 ‘혁신 특허 포상’을 수여했다고 8일 밝혔다. SK하이닉스는 2018년부터 구성원의 연구 의욕을 고취하기 위해 매년 혁신 특허 포상 제도를 실시하고 있다.

최고상인 금상은 신범주 D램개발 TL에게 돌아갔다. 신 TL은 내부 회로를 개선해 소비 전력을 낮춘 D램을 개발했다. 또 D램 내부 불순물을 제거해 소자 신뢰성을 높인 황선환 미래기술연구원 TL, 장세억 SKHU 교수도 금상 수상자로 선정됐다.

SK하이닉스는 금상 2건 외에도 낸드플래시, 솔루션, 패키지 등 다양한 기술 분야에 걸쳐 은상 3건, 동상 5건의 혁신 특허를 선정했다. 이를 발명한 구성원 19명에게는 상패와 총 상금 2억1500만원을 수여했다.

SK하이닉스 관계자는 “구성원의 연구 의욕을 고취하고, 회사의 이익과 기술력이 증대되는 선순환 구조를 형성해 글로벌 일류 기술 기업으로 나아가기 위한 특허를 지속적으로 발굴해 나가겠다”고 말했다.

[CEO스코어데일리 / 오창영 기자 / dongl@ceoscore.co.kr]

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