삼성전자, 내년 ‘10나노 D램’ 양산…“위기때 반도체 기술격차 더 벌인다”

메모리 반도체 ‘초격차’…2023년 업계 최초 ‘5세대 10나노급 D램’ 양산
2024년 9세대 V낸드 양산…2030년까지 1000단 V낸드 개발 목표

5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2022'에서 이정배 메모리사업부장 사장이 발표 하고 있다. <출처=삼성전자>

삼성전자가 메모리 반도체 분야에서 ‘초격차’ 전략을 이어간다. 내년도에 업계 최초로 5세대 10나노미터(㎚)급 D램을 양산하고, 2030년까지 1000단 V낸드를 개발한다. 반도체 수요가 감소해 가격하락이 지속되고 있고, 미국과 중국간 기술패권 경쟁이 심화되는 악조건속에서, 오히려 경쟁사들과 기술격차를 더 벌이겠다는 전략이다.

삼성전자는 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 테크 데이 2022’를 개최하고, 차세대 반도체 솔루션과 로드맵을 공개했다.

우선, 메모리 반도체 분야에서는 10나노 D램, 9세대 V낸드 양산과 1000단 V낸드 개발을 추진하고, 시스템(비메모리) 반도체 분야에서는 제품 간 시너지를 극대화 해 ‘통합 솔루션 팹리스’로 거듭나겠다는 구상이다.

삼성전자는 이날 미래 D램 솔루션과 다양한 D램 기술을 공개하면서 내년도에 ‘5세대 10나노급 D램’ 양산에 돌입하겠다고 밝혔다. 하이케이 메탈 게이트 공정 등 새로운 공정 기술 적용과 차세대 제품 구조를 통해 공정 미세화 한계를 극복할 계획이다.

데이터센터용 고용량 32Gb DDR5 D램, 모바일용 저전력 8.5Gbps LPDDR5X D램, 그래픽용 초고속 36Gbps GDDR7 D램 등 차세대 제품도 적기에 출시해 프리미엄 D램 시장의 리더십을 확고히 할 예정이다.

또한 2024년 9세대 V낸드를 양산하고, 2030년까지 1000단 V낸드를 개발한다는 구상이다. 올해는 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 기반 1Tb TLC 제품을 양산한다. 특히 이날 행사에서는 7세대 대비 단위 면적당 저장되는 비트(Bit) 수를 42% 높인 8세대 V낸드 512Gb TLC 제품을 공개했다. 이는 512Gb TLC 제품 중 업계 최고 수준이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장은 “삼성전자가 약 40년간 만들어낸 메모리의 총 저장용량이 1조 기가바이트(GB)를 넘어서고, 이중 절반이 최근 3년간 만들어졌을 만큼 우리는 급변하는 디지털 전환을 체감하고 있다”며 “향후 고대역폭, 고용량, 고효율 메모리를 통해 다양한 새로운 플랫폼과 상호진화하며 발전해 나갈 것”이라고 말했다.

빠르게 성장하고 있는 차량용 메모리 시장에서도 1위를 노린다. 자율 주행(AD), 첨단 운전자 지원 시스템(ADAS), 인포테인먼트(IVI), 텔레매틱스 등을 위한 최적의 메모리 솔루션을 공급해 2025년 차량용 메모리 시장에서 1위를 달성하겠다는 계획이다.

한편, 삼성전자는 최근 메모리 반도체 수요 급감에도 감산하지 않을 것이라고 밝혔다. 한진만 삼성전자 메모리 사업부 부사장은 이날 미디어 브리핑에서 “현재로서는 (감산에 대한) 논의는 없다”고 말한 것으로 알려졌다.

앞서 메모리 반도체 업계 3위인 마이크론이이 설비와 제조 장비 투자를 축소하겠다고 밝히고, 낸드 시장 점유율 2위권인 일본 키옥시아도 웨이퍼 투입량을 30% 줄이며 감산을 결정했다.

[CEO스코어데일리 / 김동일 기자 / same91@ceoscore.co.kr]

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